国产精品成人一区二区三区-精品久久久久久久免费人妻-亚洲色精品aⅴ一区区三区-国产在线aaa片一区二区99

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > 2字母型號搜索 > 2字母第2152頁 >

2SJ438(AISIN,Q,M)

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SJ438(AISIN,Q,M)
    2SJ438(AISIN,Q,M)

    2SJ438(AISIN,Q,M)

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 21696

  • Toshiba Semiconductor and

  • TO-220-3 Full Pack

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
2SJ438(AISIN,Q,M) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • *
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 停產
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 供應商器件封裝
  • TO-220NIS
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 標準包裝
  • 1
2SJ438(AISIN,Q,M) 技術參數
  • 2SJ438(AISIN,A,Q) 功能描述:MOSFET P-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220NIS 封裝/外殼:TO-220-3 整包 標準包裝:1 2SJ380(F) 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1100pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SJ377(TE16R1,NQ) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):630pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:PW-MOLD 標準包裝:1 2SJ360(TE12L,F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):730 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:1,000 2SJ360(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):730 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:100 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY 2SK01980RL 2SK060100L 2SK0601G0L
配單專家

在采購2SJ438(AISIN,Q,M)進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買2SJ438(AISIN,Q,M)產品風險,建議您在購買2SJ438(AISIN,Q,M)相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的2SJ438(AISIN,Q,M)信息由會員自行提供,2SJ438(AISIN,Q,M)內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (fychemical.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號