2SK3018-TP

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價(jià)格
說明
操作

2SK3018-TP
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
129000
MCC/美微科
con
22+
-
現(xiàn)貨常備，京北通宇查價(jià)https://w...

2SK3018-TP
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
63011
Micro Commercial Componen
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

2SK3018-TP
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯(lián)系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時(shí)代廣場D1棟26A
480
MCC/美微科
SOT-323
21+
-
全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

2SK3018-TP
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
159000
MICRO COMMERCIAL COMPONEN
價(jià)格優(yōu)勢
2446
-
全新原裝渠道現(xiàn)貨

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功能描述
N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG
制造商
micro commercial co
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
100mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 100μA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
13pF @ 5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
8 歐姆 @ 10mA，4V
工作溫度
-55°C ~ 150°C
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
SOT-323
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

2SK3018-TP 技術(shù)參數(shù)

2SK3018T106 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13pF @ 5V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:UMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SK3004 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3003 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK2995(F) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:68 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:132nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5400pF @ 10V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P（N）IS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SK2993(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SK3046 2SK3047 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L