真空燒結爐主要用于半導體元器件及電力整流器件的燒結工藝，可進行真空燒結，氣體保護燒結及常規燒結，是半導體用于鎢合金、磁性材料、高比重合金、鉬合金和硬質合金等制品的燒結及陶瓷氧化鋯發黑等專用設備系列中一種新穎的工藝裝備，它設計構思新穎，操作方便，結構緊湊，在一臺設備上可完成多個工藝流程。亦可用于其他領域內的真空熱處理，真空釬焊等工藝技術特征.
為了提高真空燒結過程的加熱速度和爐溫的均勻性，在燒結初期可通入適量氣體(惰性氣體或氫氣)。同樣可采甩循環氣體冷卻方法來提高真空燒結的冷卻速度。為了防止燒結中成形劑污染真空裝置系統，壓塊應在真空燒結前進行預燒以排除成形劑。