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AOTF10B60D2

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • AOTF10B60D2
    AOTF10B60D2

    AOTF10B60D2

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-220F

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • AOTF10B60D2
    AOTF10B60D2

    AOTF10B60D2

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人：許先生

    電話：18898761413

    地址：華強北都會軒4507

    資質：營業執照

  • 30000

  • AOS/萬代

  • TO220F

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應。品質保障

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
AOTF10B60D2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 600V 10A TO-220F
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • Alpha IGBT??
  • 零件狀態
  • 在售
  • IGBT 類型
  • -
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 600V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 23A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm)
  • 20A
  • 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
  • 1.8V @ 15V， 5A
  • 功率 - 最大值
  • 31.2W
  • 開關能量
  • 140μJ（開），40μJ（關）
  • 輸入類型
  • 標準
  • 柵極電荷
  • 9.4nC
  • 25°C 時 Td（開/關）值
  • 12ns/83ns
  • 測試條件
  • 400V，5A，60 歐姆，15V
  • 反向恢復時間（trr）
  • 98ns
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商器件封裝
  • TO-220F
  • 標準包裝
  • 50
AOTF10B60D2 技術參數
  • AOTF10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 42W Through Hole TO-220-3F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:42W 開關能量:260μJ（開），70μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:17.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/72ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:105ns 封裝/外殼:TO-220-3 整包 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220-3F 標準包裝:1,000 AOT9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:236W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT9N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1042pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT9N40L 功能描述:MOSFET N-CH 400V 8A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:760pF @ 25V 功率 - 最大值:132W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 AOT8N80L_001 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7.4A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.63 歐姆 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1650pF @ 25V 功率 - 最大值:245W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:1 AOTF10N90 AOTF10T60 AOTF10T60_001 AOTF10T60L AOTF10T60P AOTF10T60PL AOTF11C60 AOTF11C60_001 AOTF11C60P AOTF11C60P_001 AOTF11C60PL AOTF11N60L AOTF11N62 AOTF11N62L AOTF11N70 AOTF11S60 AOTF11S60L AOTF11S65L
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