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APT15GN120KG

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  • 型號
  • 供應商
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT15GN120KG
    APT15GN120KG

    APT15GN120KG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • APT

  • TO-220K

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現貨！

  • APT15GN120KG
    APT15GN120KG

    APT15GN120KG

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：駱小姐

    電話：18124020586

    地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A

  • 83412

  • Microsemi Corporation

  • TO-220-3

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • APT15GN120KG
    APT15GN120KG

    APT15GN120KG

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業執照

  • 5000

  • APT

  • 模塊

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • APT15GN120KG
    APT15GN120KG

    APT15GN120KG

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 20

  • APT

  • TO-220

  • 0503+pb

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
  • 1
APT15GN120KG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 45A 195W TO220
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> IGBT - 單路
  • 系列
  • POWER MOS 7®
  • 標準包裝
  • 30
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
  • 1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 3V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 200A
  • 功率 - 最大
  • 830W
  • 輸入類型
  • 標準
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-247-3
  • 供應商設備封裝
  • PLUS247?-3
  • 包裝
  • 管件
APT15GN120KG 技術參數
  • APT15GN120BDQ1G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 45A 195W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):45A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，15A 功率 - 最大值:195W 開關能量:410μJ（開），950μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:90nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/150ns 測試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT15GF120JCU2 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 30A 156W Chassis, Stud Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，15A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT15F60S 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:72nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2882pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:290W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標準包裝:1 APT15F60B 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:430 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2882pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:30 APT15F50K 功能描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:390 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2250pF @ 25V 功率 - 最大值:223W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT15GT60BRDQ1G APT15GT60BRG APT15GT60KRG APT15S20BCTG APT15S20KCTG APT15S20KG APT1608CGCK APT1608EC APT1608F3C APT1608LSECK/J3-PRV APT1608LSECK/J4-PRV APT1608LSYCK/J3-PRV APT1608LVBC/D APT1608LZGCK APT1608MGC APT1608PBC/A APT1608PBC/Z APT1608PGW
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