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APT33N90JCCU2

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  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT33N90JCCU2
    APT33N90JCCU2

    APT33N90JCCU2

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯(lián)系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • ISOTOP，SOT-227

  • 25+

  • -

  • 國產(chǎn)品牌，替代進口

  • APT33N90JCCU2
    APT33N90JCCU2

    APT33N90JCCU2

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 57162

  • Microsemi Corporation

  • SOT-227-4, miniBLOC

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • APT33N90JCCU2
    APT33N90JCCU2

    APT33N90JCCU2

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 45

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
APT33N90JCCU2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES
APT33N90JCCU2 技術(shù)參數(shù)
  • APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:1.315mJ（開），1.515mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:14ns/185ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:25 APT33GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:52A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):104A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，25A 功率 - 最大值:297W 開關(guān)能量:2.8mJ（開）， 2.8mJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:25ns/210ns 測試條件:- 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT33GF120B2RDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:1.315μJ（開），1.515μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:170nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:14ns/185ns 測試條件:800V，25A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT32M80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 24A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:303nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9326pF @ 25V 功率 - 最大值:543W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT32F120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:18200pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT34N80LC3G APT35DL120HJ APT35GA90B APT35GA90BD15 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2
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