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APTSM120AM55CT1AG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTSM120AM55CT1AG
    APTSM120AM55CT1AG

    APTSM120AM55CT1AG

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 83676

  • Microsemi Corporation

  • SP1

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • APTSM120AM55CT1AG
    APTSM120AM55CT1AG

    APTSM120AM55CT1AG

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐

    電話：185208051481348786585213760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 87317

  • Microchip / Microsemi

  • SP1-12

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共4條 
  • 1
APTSM120AM55CT1AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER MODULE - SIC
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • 2 個(gè) N 通道（雙），肖特基
  • FET 功能
  • 碳化硅 （SiC）
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 74A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 50 毫歐 @ 40A，20V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 3V @ 2mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
  • 272nC @ 20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
  • 5120pF @ 1000V
  • 功率 - 最大值
  • 470W
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SP1
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • SP1
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
APTSM120AM55CT1AG 技術(shù)參數(shù)
  • APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:148A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 80A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:544nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM14CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:337A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 180A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1224nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23000pF @ 1000V 功率 - 最大值:2140W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM09CD3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTSM120AM08CT6AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（雙），肖特基 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:370A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 200A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1360nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:* 功率 - 最大值:2300W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APTS050A0X43-SRPHZ 功能描述:DC/DC CONVERT 0.7-2V 50A 100W 制造商:ge critical power 系列:GigaTLynx?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 類型:非隔離 PoL 模塊 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:4.5V 電壓 - 輸入（最大值）:14V 電壓 - 輸出 1:0.7 ~ 2 V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:50A 功率（W） - 制造系列:100W 電壓 - 隔離:- 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 特性:遠(yuǎn)程開(kāi)/關(guān)，OCP，OTP，UVLO 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-SMD 模塊 大小/尺寸:1.30" 長(zhǎng) x 0.90" 寬 x 0.39" 高（33.0mm x 22.9mm x 10.0mm） 工作溫度:-40°C ~ 85°C 效率:90.1% 功率（W） - 最大值:100W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:140 AP-UM001GR13CS-2NRT AP-UM001GR13CS-2T AP-UM001GR23CS-2NRT AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST
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免責(zé)聲明：以上所展示的APTSM120AM55CT1AG信息由會(huì)員自行提供，APTSM120AM55CT1AG內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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