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AT64L64K6SHC4M

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  • AT64L64K6SHC4M
    AT64L64K6SHC4M

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：駱小姐

    電話：18124020586

    地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A

  • 29291

  • ATP Electronics, Inc.

  • 200-SODIMM

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
AT64L64K6SHC4M PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 512 MB DDR1 DUAL RANK UNBUFFERRE
  • 制造商
  • atp electronics, inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態
  • 在售
  • 存儲器類型
  • DDR SDRAM
  • 存儲容量
  • 512MB
  • 封裝/外殼
  • 200-SODIMM
  • 標準包裝
  • 50
AT64L64K6SHC4M 技術參數
  • AT641TAT-8IN-TSCREEN AT-64023 功能描述:TRANS NPN BIPO 20V 200MA 230-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD（230 密耳 BeO） 供應商器件封裝:230 mil Be0 標準包裝:10 AT-64020 功能描述:TRANS NPN BIPO 20V 200MA 200-SMD 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD（200 密耳 BeO） 供應商器件封裝:- 標準包裝:100 AT-64000-GP4 功能描述:RF Transistor NPN 20V 200mA 3W Surface Mount 制造商:broadcom limited 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:3W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 110mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:- 標準包裝:25 AT636F24 功能描述:GREEN LED 24V 制造商:nkk switches 系列:- 零件狀態:有效 標準包裝:1 AT-7.994MAGI-T AT-7.994MDGI-T AT-7.994MDII-T AT-7000-R AT-7000-T AT701 AT702 AT-7020 AT-7030 AT711 AT712 AT713 AT714 AT715 AT715-12 AT715-6 AT716 AT717
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