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BFR 181T E6327

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BFR 181T E6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
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電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
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BFR 181T E6327
深圳市芯脈實業有限公司
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地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
89953
Infineon Technologies
SC-75, SOT-416
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BFR 181T E6327
深圳市眾芯微電子有限公司
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聯系人：陳小姐
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地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-SC-75
19+
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功能描述
TRANSISTOR RF NPN 12V SC-75
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT)
系列
-
產品變化通告
Product Discontinuation 17/Dec/2010
標準包裝
1
系列
-
晶體管類型
NPN
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
4.7V
頻率 - 轉換
47GHz
噪聲系數（dB典型值@頻率）
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益
9dB ~ 31dB
功率 - 最大
160mW
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
160 @ 25mA，3V
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
45mA
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
4-SMD，扁平引線
供應商設備封裝
4-TSFP
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
BFP 740FESD E6327DKR

BFR 181T E6327 技術參數

BFR 181 E6780 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BFR 181 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFR 106 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 210mA 5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:210mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFQ790H6327XTSA1 功能描述:RF BIP TRANSISTORS 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6.1V 頻率 - 躍遷:1.85GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.6dB @ 1.8GHz 增益:17dB 功率 - 最大值:1.5W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 250mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 BFQ67W,135 功能描述:RF Transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW Surface Mount SOT-323 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:10,000 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327