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BSC014N04LSTATMA1

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    聯系人：陳先生13360533550

    電話：0755-838679890755-82795565

    地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F

    資質：營業執照

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  • INFINEON/英飛凌

  • PG-TDSON-8

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  • 原廠原裝現貨

  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質：營業執照

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  • 優勢庫存，原裝正品

  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人：王小姐

    電話：13969210552

    地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：王

    電話：18724450645

    地址：中國上海

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  • 優勢庫存，原裝正品

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人：洪寶宇

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質：營業執照

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  • BSC014N04LSTATMA1
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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
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    聯系人：洪先生

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 3

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  • 晶體管

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  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人：吳

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    地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：洪寶宇

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    聯系人：高先生/曹先生/周小姐

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    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

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  • Infineon Technologies

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BSC014N04LSTATMA1
    BSC014N04LSTATMA1

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  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯系人：梁

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    地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 3000

  • TI

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  • 功能描述
  • DIFFERENTIATED MOSFETS
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
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  • 零件狀態
  • 在售
  • 標準包裝
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BSC014N04LSTATMA1 技術參數
  • BSC014N04LSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.45 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 FL（5x6） 標準包裝:1 BSC014N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta），100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:61nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），96W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SuperSO8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC014N04LS 功能描述:MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4300pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:SuperSO8 標準包裝:1 BSC014N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:173nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13000pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），139W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC014N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:173nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13000pF @ 15V 功率 - 最大值:139W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC016N04LSGATMA1 BSC016N06NS BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1 BSC017N04NS G BSC017N04NSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSI BSC018NE2LSIATMA1 BSC019N02KSGAUMA1 BSC019N04LSATMA1 BSC019N04NSGATMA1 BSC020N025S G BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 BSC022N03S BSC022N03SG
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