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BSC037N08NS5ATMA1

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  • BSC037N08NS5ATMA1
    BSC037N08NS5ATMA1

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    現貨
  • 上海航霆電子技術有限公司
    上海航霆電子技術有限公司

    聯系人:林生18701789587

    電話:0755-8374259418701789587

    地址:上海徐匯區漕溪路222號航天大廈16層

  • 6000

  • Infineon

  • SOP

  • 23+

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  • 原裝正品 可開增票

  • BSC037N08NS5ATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

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  • INFINEON

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  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSC037N08NS5ATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 329001

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  • BSC037N08NS5ATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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    電話:18724450645

    地址:中國上海

  • 329001

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  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSC037N08NS5ATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

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  • BSC037N08NS5ATMA1
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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 115

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  • 場效應管

  • BSC037N08NS5ATMA1
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  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓

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  • BSC037N08NS5ATMA1
    BSC037N08NS5ATMA1

    BSC037N08NS5ATMA1

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 329001

  • INFINEON

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  • BSC037N08NS5ATMA1
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • BSC037N08NS5ATMA1
    BSC037N08NS5ATMA1

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TDSON-8

  • 19+

  • -
  • 代理直銷!進口原裝正品!

  • BSC037N08NS5ATMA1
    BSC037N08NS5ATMA1

    BSC037N08NS5ATMA1

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 15000

  • INFINEON

  • 價格優勢

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  • 全新原裝渠道現貨

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • OptiMOS??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 80V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 100A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 3.7 毫歐 @ 50A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 3.8V @ 72μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 58nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 4200pF @ 40V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • PG-TDSON-8
  • 標準包裝
  • 1
BSC037N08NS5ATMA1 技術參數
  • BSC037N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3660pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC036NE7NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4400pF @ 37.5V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15) 標準包裝:1 BSC035N10NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 115μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):87nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6500pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC035N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 36μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 20V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC034N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 41μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3000pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC046N02KS G BSC046N02KSGAUMA1 BSC046N10NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 BSC048N025S G BSC0500NSIATMA1 BSC0501NSIATMA1 BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1
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