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BSS31

配單專家企業(yè)名單

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價格
說明
操作

BSS315PH6327
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯(lián)系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區(qū)知春路118號知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場B1303-b1305柜臺
1500
IR
N/A
1615+
-
13661385246進口原裝現貨。最新...

BSS316N
深圳市遠晨電子有限公司
深圳市遠晨電子有限公司
聯(lián)系人：周小姐/詹小姐
電話：0755-839722581341006000718138206816
地址：深圳市福田區(qū)振興西路101號華勻大廈1棟401室
資質：營業(yè)執(zhí)照
300000
INFINEON
SOT-23
18+
-
原裝正品現貨83972258

BSS314PEH6327
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
6000
INF
ORIGONAL
16+
-
0.04602 USD,szpoweri...

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BSS31 技術參數

BSS308PEL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:500pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS308PEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS308PE H6327 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:500pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS306NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:275pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS306NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.5nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:275pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:57 毫歐 @ 2.3A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2