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C3M0120090D

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

C3M0120090D
現貨
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
322
CREE
20+
-
原裝正品徦一罰十

C3M0120090D
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-247
25+
-
國產品牌，替代進口

C3M0120090D
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

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功能描述
900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
制造商
cree/wolfspeed
系列
C3M?
包裝
管件
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源極電壓（Vdss）
900V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
23A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
155 毫歐 @ 15A，15V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 3mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
17.3nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
350pF @ 600V
功率 - 最大值
97W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
TO-247-3
標準包裝
30

C3M0120090D 技術參數

C3M0075120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30.8A TO247-4 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:SiCFET（碳化硅）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30.8A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:119W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247-4L 封裝/外殼:TO-247-4 標準包裝:30 C3M0075120J 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）:1200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:51nC @ 15V Vgs（最大值）:+19V，-8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 1000V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 標準包裝:50 C3M0065100K 功能描述:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:SiCFET (Silicon Carbide) 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:* 封裝/外殼:TO-247-4 供應商器件封裝:TO-247-4L 標準包裝:1 C3M0065100J 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）:1000V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:35nC @ 15V Vgs（最大值）:+15V，-4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:660pF @ 600V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:113.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK-7 封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 標準包裝:50 C3M0065090J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 制造商:cree/wolfspeed 系列:C3M? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 20A，15V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:660pF @ 600V 功率 - 最大值:113W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 供應商器件封裝:D2PAK（7-Lead）標準包裝:800 C3P0212S-A C3P0304S-A C3P0406S-A C3P0604S-A C3PES-1006G C3PES-1006M C3PES-1018G C3PES-1018M C3PES-1036G C3PES-1036M C3PES-2006G C3PES-2006M C3PES-2018G C3PES-2018M C3PES-2036G C3PES-2036M C3PES-2606G C3PES-2606M