CSD17318Q2

配單專家企業名單

型號
供應商
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廠商
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批號
價格
說明
操作

CSD17318Q2
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
27000
TI
WSON6
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CSD17318Q2
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
321190
TI
con
24+
-

CSD17318Q2
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
0
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD17318Q2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
321190
TI
con
24+
-

CSD17318Q2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321190
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD17318Q2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
0
TI
con
24+
-
集成電路（IC）

CSD17318Q2
廣東濟德精密電子有限公司
廣東濟德精密電子有限公司
聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
100
TI
NA
25+
-
現貨！就到京北通宇商城

CSD17318Q2
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321190
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

CSD17318Q2
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
321190
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

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CSD17318Q2 技術參數

CSD17313Q2T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD17313Q2Q1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:汽車級，AEC-Q100，NexFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD17313Q2 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:340pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD17312Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 35A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5240pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD17311Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 30A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4280pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD17484F4 CSD17484F4T CSD17501Q5A CSD17505Q5A CSD17506Q5A CSD17507Q5A CSD17510Q5A CSD17522Q5A CSD17527Q5A CSD17551Q3A CSD17551Q5A CSD17552Q3A CSD17552Q5A CSD17553Q5A CSD17555Q5A CSD17556Q5B CSD17556Q5BT CSD17559Q5