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CSD87335Q3DT

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  • 型號
  • 供應商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD87335Q3DT
    CSD87335Q3DT

    CSD87335Q3DT

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：高先生/曹先生/周小姐

    電話：185208051481348786585213760272017

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 16885

  • Texas Instruments

  • LSON-CLIP-8

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • CSD87335Q3DT
    CSD87335Q3DT

    CSD87335Q3DT

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 原裝正品進口現貨 電話010-62104...

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 2N-CH 30V 25A
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • 2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 30V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 25A
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • -
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.9V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 7.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 1050pF @ 15V
  • 功率 - 最大值
  • 6W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerLDFN
  • 供應商器件封裝
  • 8-LSON（3.3x3.3）
  • 標準包裝
  • 1
CSD87335Q3DT 技術參數
  • CSD87335Q3D 功能描述:MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1050pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（3.3x3.3） 標準包裝:1 CSD87334Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 12A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1260pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標準包裝:1 CSD87333Q3DT 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標準包裝:1 CSD87333Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.3 毫歐 @ 4A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:662pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:125°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標準包裝:1 CSD87331Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V，1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:518pF @ 15V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6） 標準包裝:1 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET CSD87588N CSD87588NEVM-603 CSD87588NT CSD88537ND CSD88537NDT CSD88539ND CSD88539NDT CSD88584Q5DC
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