瓷介電容器特點及用途

       瓷介電容器是以陶瓷材料為介質，屬于陶瓷電容中的一種。并在其表面燒滲上銀層作為電極的電容器。因陶瓷材料的介電系數較大，所以可以做得容量很大，體積很小；瓷介電容器穩定性好；具有優良的絕緣性能；溫度系數范圍很寬，在電路中常作為溫度補償電容器。其缺點是機械強度低，易碎易裂。
      根據陶瓷成分不同可以分為高頻瓷介電容器雙稱（高頻用CC表示，也稱I型）和低頻瓷介電容器（低頻用CT表示，也稱II型）。
      高頻瓷介電容器（CC）：其特點是體積小、損耗低，電容對頻率、溫度穩定性都較高，常用于要求損耗小，電容量穩定的場合，并常在高頻電路中用作調諧、振蕩回路電容器和溫度補償電容器。高頻瓷介電容的容量在零點幾皮法至幾百皮法之間，耐壓常見的有160V、250V、500V幾種，誤差常見有±5%、±10%、±20%、+80%-20%幾種。
      低頻瓷介電容器（CT）：其特點是體積小、損耗大，電容對頻率、溫度穩定性都較差，常用于對損耗及容量穩定性要求不高的低頻電路。其容量在幾百皮法到幾十微法之間，額定直流工作電壓常見有0.5KV、1KV、2KV、5KV等幾種。誤差常見有±1%、±3%、±5%、±10%、±20%。
 
2.技術指標 

電容量                           18pF～0.22UF        25±3℃ 
允許偏差                        ±1（F）、±3（I）、±5（J）、±10（K）、±20（M）、Z(+80%-20%)
使用溫度                        -25℃～85℃
溫度特性                        Y5P,Y5U,Y5V,SL,BN,Y5R
額定電壓                        50Vdc、100Vdc、500Vdc、1000Vdc、2000Vdc、3000Vdc、5000Vdc
損耗角正切值 (tgδ)          Y5P/Y5U  : tgδ≤2.0%
                                     Y5V: tgδ≤2.5%
                                     BN: tgδ≤0.5%
                                     Y5R: tgδ≤0.35%
                                     SL:Cr<30pF,Q≥400+20Cr;Cr≥30pF,Q≥1000
                                    Ⅰ類:1MHz,1±0.2Vrms    Ⅱ類:1KHz,1±0.2Vrms         25±3℃ 
絕緣電阻                        CC   IR≥10000MΩ    CT   IR≥4000MΩ   于端子間施加直流500V電壓，時間為1分鐘    25±3℃ 
                                    一類/二類瓷   Ur<630V (2.5Ur)   630V≤Ur<3KV (1.5Ur+500Vdc )  Ur≥3KV(1.5Ur) 
                                    三類瓷   Ur<100V (1.5Ur)       Ur≥100V (1.25Ur) 
耐電壓                             于端子間施加一定的直流電壓3~5秒鐘無擊穿，無飛弧（電流限于50mA以內）
封裝                              酚醛樹脂(黃色）/環氧樹脂（藍色）
包裝                              散裝/編帶