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咪頭的分類：
  1、從工作原理上分：
  炭精粒式
  電磁式
  電容式
  駐極體電容式（以下介紹以駐極體式為主）
  壓電晶體式，壓電陶瓷式
  二氧化硅式等
  2、從尺寸大小分,駐極體式又可分為若干種.
  Φ9.7系列產(chǎn)品 Φ8系列產(chǎn)品 Φ6系列產(chǎn)品
  Φ4.5系列產(chǎn)品 Φ4系列產(chǎn)品 Φ3系列產(chǎn)品
  每個系列中又有不同的高度
  3、從咪頭的方向性，可分為全向，單向，雙向（又稱為消噪式）
  4、從極化方式上分，振膜式,背極式,前極式
  從結(jié)構(gòu)上分又可以分為柵極點焊式,柵極壓接式,極環(huán)連接式等
  5、從對外連接方式分
  普通焊點式：L型
  帶PIN腳式：P型
  同心圓式： S型
  三、駐極體傳聲器的結(jié)構(gòu)
  以全向MIC,振膜式極環(huán)連接式為例
  1、防塵網(wǎng)：
  保護咪頭，防止灰塵落到振膜上，防止外部物體刺破振膜，還有短時間的防水作用。
  2、外殼：
  整個咪頭的支撐件，其它件封裝在外殼之中，是傳聲器的接地點，還可以起到電磁屏蔽的作用。
  3、振膜：是一個聲-電轉(zhuǎn)換的主要零件，是一個繃緊的特氟窿塑料薄膜粘在一個金屬薄圓環(huán)上,薄膜與金屬環(huán)接觸的一面鍍有一層很薄的金屬層,薄膜可以充有電荷，也是組成一個可變電容的一個電極板，而且是可以振動的極板。
  4、墊片：
  支撐電容兩極板之間的距離，留有間隙，為振膜振動提供一個空間，從而改變電容量。
  5、背極板：
  電容的另一個電極，并且連接到了FET（場效應管）的G（柵）極上。
  6、銅環(huán)：
  連接極板與FET（場效應管）的G（柵）極，并且起到支撐作用。
  7、腔體：
  固定極板和極環(huán)，從而防止極板和極環(huán)對外殼短路（FET（場效應管）的S（源極），G（柵）極短路）。
  8、PCB組件：
  裝有FET，電容等器件，同時也起到固定其它件的作用。
  9、PIN：有的傳聲器在PCB上帶有PIN（腳），可以通過PIN與其他PCB焊接在一起，起連接另外前極式，背極式在結(jié)構(gòu)上也略有不同。
  四、咪頭的電原理圖：
  FET(場效應管)MIC的主要器件，起到阻抗變換或放大的作用，
  C;是一個可以通過膜片震動而改變電容量的電容，聲電轉(zhuǎn)換的主要部件。
  C1,C2是為了防止射頻干擾而設(shè)置的，可以分別對兩個射頻頻段的干擾起到抑制作用。
  RL:負載電阻，它的大小決定靈敏度的高低。
  VS:工作電壓，MIC提供工作電壓
  :CO:隔直電容，信號輸出端.
  五、駐極體咪頭的工作原理：
  由靜電學可知，對于平行板電容器，有如下的關(guān)系式：C=ε．S/L ……①即電容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)成正比，與兩個極板的面積成正比，與兩個極板之間的距離成反比。
  另外，當一個電容器充有Q量的電荷，那么電容器兩個極板要形成一定的電壓，有如下關(guān)系式：C=Q/V ……②
  對于一個駐極體咪頭，內(nèi)部存在一個由振膜，墊片和極板組成的電容器，因為膜片上充有電荷，并且是一個塑料膜，因此當膜片受到聲壓強的作用，膜片要產(chǎn)生振動，從而改變了膜片與極板之間的距離，從而改變了電容器兩個極板之間的距離，產(chǎn)生了一個Δd的變化，因此由公式①可知，必然要產(chǎn)生一個ΔC的變化，由公式②又知，由于ΔC的變化，充電電荷又是固定不變的，因此必然產(chǎn)生一個ΔV的變化。
  這樣初步完成了一個由聲信號到電信號的轉(zhuǎn)換。
  由于這個信號非常微弱，內(nèi)阻非常高，不能直接使用，因此還要進行阻抗變換和放大。
  FET場效應管是一個電壓控制元件，漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控制。
  由于電容器的兩個極是接到FET的S極和G極的，因此相當于FET的S極與G極之間加了一個Δv的變化量，F(xiàn)ET的漏極電流I就產(chǎn)生一個ΔID的變化量，因此這個電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一個ΔVD的變化量，這個電壓的變化量就可以通過電容C0輸出，這個電壓的變化量是由聲壓引起的，因此整個咪頭就完成了一個聲電的轉(zhuǎn)換過程。
  六、咪頭的主要技術(shù)指標：
  咪頭的測試條件;MIC的使用應規(guī)定其工作電壓和負載電阻,不同的使用條件,其靈敏度的大小有很大的影響
  電壓 電阻
  1、消耗電流：即咪頭的工作電流
  主要是FET在VSG=0時的電流，根據(jù)FET的分檔，可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對于工作電壓低、負載電阻大的情況下，對于工作電流就有嚴格的要求，由電原理圖可知
  VS=VSD+ID×RL ID = (VS- VSD)/ RL
  式中 ID FET 在VSG等于零時的電流
  RL為負載電阻
  VSD,即FET的S與D之間的電壓降
  VS為標準工作電壓
  總的要求 100μA〈IDS〈500μA
  2、靈敏度：單位聲壓強下所能產(chǎn)生電壓大小的能力。
  單位：V/Pa 或 dBV/Pa 有的公司使用是dBV/μBar
  -40 dBV/Pa=-60dBV/μBar
  0 dBV/Pa=1V/Pa
  聲壓強Pa=1N/m2
  3、輸出阻抗：基本相當于負載電阻RL(1-70%)之間。
  4、方向性及頻響特性曲線：
  a、全向: MIC的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等，全向MIC的結(jié)構(gòu)是PCB上全部密封,因此,聲壓只有從MIC的音孔進入，因此是屬于壓強型傳聲器。
  頻率特性圖：
  b、單向 單向MIC 具有方向性，如果MIC的音孔正對聲源時為0度，那么在0度時靈敏度最高，180度時靈敏度最低，在全方位上呈心型圖，單向MIC的結(jié)構(gòu)與全向MIC不同，它是在PCB上開有一些孔，聲音可以從音孔和PCB的開孔進入，而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料，因此是介于壓強和壓差之間的MIC。
  頻率特性圖：
  c、消噪型：是屬于壓差式MIC，它與單向MIC不同之處在于內(nèi)部沒有吸音材料，它的方向型圖是一個8字型
  頻率特性：
  5、頻率范圍：
  全向： 50~12000Hz 20~16000Hz
  單向：100~12000Hz 100~16000Hz
  消噪：100~10000Hz
  6、最大聲壓級:是指MIC的失真在3%時的聲壓級,聲壓級定義:20μpa=0dBSPL
  MaxSPL為115dBSPLA SPL聲壓級 A為A計權(quán)
  7、S/N信噪比：即MIC的靈敏度與在相同條件下傳聲器本身的噪聲之比，詳見產(chǎn)品手冊，噪聲主要是FET本身的噪聲 .