瓷介電容：瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特點是體積小，損耗低，電容對頻率，溫度穩定性都較高，常用于高頻電路。
II型（CT型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩定性都較差，常用于低頻電路。
1.高頻圓片瓷介電容（CC）:電容量：1--6800p;額定電壓：63--500V;主要特點：高頻損耗小，穩定性好.應用：高頻電路。低頻瓷介電容（CT）。電容量：10p—4.7u。額定電壓：50V--100V。主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩定性差。應用：要求不高的低頻電路。
CC1型1類瓷介電容器。用途：CCI型1類瓷介電容器Q值高，容量穩定。用于諧振回路和需要補償溫度效應的電路中。63-500V。
CS1型3類瓷介電容器。用途：作超高頻、寬頻帶旁路電容器及耦合電容器或使用于對損耗角正切、絕緣電阻要求不高的電路中。25V-50V。
CT71型2類交流瓷介電容器。用途：各類電子、電器設備，用于天線耦合，開關電路及跨接電源線等。250Vac。
CT81型2類高壓瓷介電容器。用途：適用于1~3kV直流高壓旁路和耦合電路。開關電源的緩沖電路。