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EPC2029ENGRT

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • EPC2029ENGRT
    EPC2029ENGRT

    EPC2029ENGRT

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 16260

  • EPC

  • 剪切帶（CT

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
EPC2029ENGRT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態
  • 無貨
  • FET 類型
  • GaNFET N 通道，氮化鎵
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 80V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 31A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 3.2 毫歐 @ 30A，5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 12mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 13nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 1400pF @ 40V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 供應商器件封裝
  • 模具
  • 標準包裝
  • 1
EPC2029ENGRT 技術參數
  • EPC2029ENGR 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:過期 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:31A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:10 EPC2029 功能描述:TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:48A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 30A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 12mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1410pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2025ENGR 功能描述:TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.85nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具剖面（12 焊條） 標準包裝:10 EPC2025 功能描述:TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2024ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 毫歐 @ 37A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 19mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應商器件封裝:模具 標準包裝:1 EPC2033 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT
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