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FDN358

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    FDN358P

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 39000

  • FAIRCHILD (ON SEMICONDUCT

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    FDN358

    FDN358

  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐

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    地址：北京市海淀區(qū)知春路118號知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場B1303-b1305柜臺

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  • 制造商
  • FAIRCHILD
  • 制造商全稱
  • Fairchild Semiconductor
  • 功能描述
  • P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDN358 技術(shù)參數(shù)
  • FDN340P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube FDMS2380 功能描述:MOSFET Dual Integ Solenoid RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube FDMF8705 功能描述:功率驅(qū)動器IC MLP 8X8 DRIVER PLUS FET MULTI-CHIP MODU RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8704V 功能描述:功率驅(qū)動器IC Driver plus FET w/5v reg RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDMF8704 功能描述:功率驅(qū)動器IC Driver plus FET Multi-chip Module RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube FDN372S FDN537N FDN5618P FDN5630 FDN5630_F095 FDN5632N_F085 FDN5632N-F085 FDN8601 FDN86246 FDN86265P FDN86501LZ FDP020N06B_F102 FDP020N06B-F102 FDP023N08B_F102 FDP023N08B-F102 FDP025N06 FDP027N08B FDP027N08B_F102
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