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IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR

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IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR
深圳市億聯芯電子科技有限公司
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深圳市芯脈實業有限公司
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地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
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IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR 技術參數

IS66WVE4M16EBLL-70BLI 功能描述:IC PSRAM 64MBIT 70NS 48TFBGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:PSRAM（偽）存儲容量:64M（4M x 16）速度:70ns 接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:48-TFBGA 供應商器件封裝:48-TFBGA（6x8）標準包裝:100 IS66WVE4M16EBLL-55BLI 功能描述:IC SRAM 64MB 55NS 48BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:PSRAM（偽）存儲容量:64M（4M x 16）速度:55ns 接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:48-TFBGA 供應商器件封裝:48-TFBGA（6x8）標準包裝:480 IS66WVE4M16EALL-70BLI 功能描述:IC SRAM 64MB 70NS 48BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:PSRAM（偽）存儲容量:64M（4M x 16）速度:70ns 接口:并聯電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:48-TFBGA 供應商器件封裝:48-TFBGA（6x8）標準包裝:480 IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 64Mb (4M x 16) Pseudo 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS66WVE4M16BLL-70BLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 64Mb (4M x 16) Pseudo 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR IS66WVH8M8BLL-100B1LI IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR IS71LD32160WP128-25BPLI IS71LD32160WP128-3BPLI IS80C286-20 IS829X IS82C37A IS82C37A-5 IS82C50A-5 IS82C50A-5Z IS82C52 IS82C52Z IS82C52Z96 IS82C54 IS82C54-10