1N5553-E3/54

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封裝
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說明
操作

1N5553-E3/54
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
850000
Vishay Semiconductors
ROHS
12+
-
全新原裝現貨庫存！400-800-030...

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功能描述
整流器 3.0 Amp 800 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N5553-E3/54 技術參數

1N5553C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N5553 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5552US/TR 功能描述:STD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:100 1N5552US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 9A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N5552C.TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:92pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 1N5610 1N5611 1N5613 1N5614 1N5614GP-E3/54 1N5614GP-E3/73 1N5614GPHE3/54 1N5614US 1N5615 1N5615GP-E3/54 1N5615GP-E3/73 1N5615GPHE3/54 1N5615US 1N5615US/TR 1N5616 1N5616C.TR 1N5616US 1N5617