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APTGV50H60BT3G

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人：李林

    電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3

    地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質：營業執照

  • 18210

  • MICROSEMI

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    聯系人：駱小姐

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  • Microsemi Corporation

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    聯系人：高先生/周小姐/曹先生

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  • Microsemi Corporation

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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  • 92078

  • Microchip / Microsemi

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOD IGBT NPT 600V SP3
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET TRANSISTOR
APTGV50H60BT3G 技術參數
  • APTGV50H60BG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止 配置:升壓斬波器，全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGV50H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGV50H120BTPG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 1200V 75A 270W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止 配置:升壓斬波器，全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D APTL3216SECK APTL3216SURCK APTL3216SYCK APTL3216SYCK01 APTL3216ZGC APTL3216ZGCK APTLGF300A1208G APTLGF350A608G
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