BSS83PL6327XT

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BSS83PL6327XT
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
KITTING INFINEON
標準封裝
13+
-
全新原裝100%正品保證質量

BSS83PL6327XT
北京元坤偉業科技有限公司
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聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
KITTING INFINEON
標準封裝
13+
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BSS83PL6327XT
北京元坤偉業科技有限公司
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聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
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標準封裝
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BSS83PL6327XT 技術參數

BSS83PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS83PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS83PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS83P H6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS83,235 功能描述:RF Mosfet N-Channel SOT-143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:50mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:10,000 BSS84AK-BR BSS84AKM,315 BSS84AKMB,315 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1