BUK7Y3R5-40E,115

配單專家企業名單

型號
供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

BUK7Y3R5-40E,115
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
LFPAK56-5
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BUK7Y3R5-40E,115
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
73554
NEXPERIA/安世
LFPAK56-5
22+
-
18萬條庫存，一站式配齊

BUK7Y3R5-40E,115
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
45000
Nexperia/安世
con
22+
-
現貨常備，京北通宇查價https://w...

BUK7Y3R5-40E,115
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
3000
NEXPERIA/安世
LFPAK56-5
24+
-
原裝正品，可含稅供應。品質保障

BUK7Y3R5-40E,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BUK7Y3R5-40E,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 40V LFPA...

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 40V LFPAK
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
BUK7Y3R5-40E/LFPAK/REEL7//

BUK7Y3R5-40E,115 技術參數

BUK7Y3R0-40HX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:59nC @ 10V Vgs（最大值）:+20V， -10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5449pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:172W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 標準包裝:1 BUK7Y3R0-40EX 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1,500 BUK7Y38-100EX 功能描述:MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:95W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:29 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK7Y35-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28.43A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:781pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1 BUK7Y2R5-40HX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:79nC @ 10V Vgs（最大值）:+20V， -10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4790pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:190W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 標準包裝:1 BUK7Y6R0-60EX BUK7Y72-80EX BUK7Y7R2-60EX BUK7Y7R6-40EX BUK7Y7R8-80EX BUK7Y8R7-60EX BUK7Y98-80EX BUK7Y9R9-80EX BUK9107-40ATC,118 BUK9107-55ATE,118 BUK9207-30B,118 BUK9209-40B,118 BUK9212-55B,118 BUK9213-30A,118 BUK9213-60EJ BUK9214-30A,118 BUK9214-80EJ BUK92150-55A,118