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BUK9Y15-100E,115

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BUK9Y15-100E,115
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
550
NXP
SOT669
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

BUK9Y15-100E,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 100V 69A...

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 100V LFPAK

BUK9Y15-100E,115 技術參數

BUK9Y14-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:62A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:28.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 BUK9Y14-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y12-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標準包裝:1,500 BUK9Y12-55B,115 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:61.8A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2880pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y12-40E,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:52A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1423pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:65W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y25-60E,115 BUK9Y25-80E,115 BUK9Y27-40B,115 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y30-75B,115 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115 BUK9Y41-80E,115 BUK9Y43-60E,115 BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y59-60E,115 BUK9Y65-100E,115