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BUK9Y19-100E,115

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  • 型號
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  • 封裝
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  • BUK9Y19-100E,115
    BUK9Y19-100E,115

    BUK9Y19-100E,115

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人：洪先生

    電話：17862669251

    地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質：營業執照

  • 0

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -

  • 場效應管

  • BUK9Y19-100E,115
    BUK9Y19-100E,115

    BUK9Y19-100E,115

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 15000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT-669

  • 21+

  • -

  • 授權代理/原廠FAE技術支持

  • BUK9Y19-100E,115
    BUK9Y19-100E,115

    BUK9Y19-100E,115

  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    聯系人：許先生

    電話：18898761413

    地址：華強北都會軒4507

    資質：營業執照

  • 6000

  • NEXPERIA/安世

  • SOT669

  • 24+

  • -

  • 原裝正品，可含稅供應。品質保障

  • BUK9Y19-100E,115
    BUK9Y19-100E,115

    BUK9Y19-100E,115

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BUK9Y19-100E,115
    BUK9Y19-100E,115

    BUK9Y19-100E,115

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會軒3607

    資質：營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • LFPAK， 電源-SO8

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 100V 56A...

  • BUK9Y19-100E,115
    BUK9Y19-100E,115

    BUK9Y19-100E,115

  • 科創特電子（香港）有限公司
    科創特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1500

  • NEXPERIA

  • 價格優勢

  • 2337

  • -

  • 全新原裝渠道現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
BUK9Y19-100E,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BUK9Y19-100E/LFPAK/REEL7// - Tape and Reel
BUK9Y19-100E,115 技術參數
  • BUK9Y15-60E,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 53A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17.2nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2603pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:95W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y153-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:716pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:37W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:146 毫歐 @ 2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y15-100E,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:69A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:6139pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:195W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.7 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y14-80E,115 功能描述:MOSFET N-CH 80V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:62A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:28.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4640pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:147W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 基本零件編號:* 標準包裝:1 BUK9Y14-40B,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 56A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 5V Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:85W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 BUK9Y29-40E,115 BUK9Y30-75B,115 BUK9Y30-75B/C2,115 BUK9Y38-100E,115 BUK9Y3R0-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y40-55B,115 BUK9Y41-80E,115 BUK9Y43-60E,115 BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y53-100B,115 BUK9Y58-75B,115 BUK9Y59-60E,115 BUK9Y65-100E,115 BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y72-80E,115 BUK9Y7R2-60E,115
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