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DMP3056LDMQ-7

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    DMP3056LDMQ-7

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  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • DMP3056LDMQ-7
    DMP3056LDMQ-7

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66450

  • Diodes Incorporated

  • SOT-23-6

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • DMP3056LDMQ-7
    DMP3056LDMQ-7

    DMP3056LDMQ-7

  • 科創特電子（香港）有限公司
    科創特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • DIODES INC.

  • 價格優勢

  • 2341

  • -

  • 全新原裝渠道現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • Diodes Incorporated
  • 功能描述
  • MOSFET BVDSS
DMP3056LDMQ-7 技術參數
  • DMP3036SSS-13 功能描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19.5A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1931pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-SO 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:1 DMP22M2UPS-13 功能描述:MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:476nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12826pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PowerDI5060-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 DMP21D2UFA-7B 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:49pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 200mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:X2-DFN0806-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2069UFY4-7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:214pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:54 毫歐 @ 2.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN2015H4-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 DMP2039UFDE-7 功能描述:MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.7A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:48.7nC @ 8V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2530pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:800mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 6.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:U-DFN2020-6（E 類） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 DMP3098L-7 DMP3098LDM-7 DMP3098LQ-7 DMP3098LSD-13 DMP3098LSS-13 DMP3099L-13 DMP3099L-7 DMP3100L-7 DMP3105LVT-7 DMP3120L-7 DMP3130L-7 DMP3130LQ-7 DMP3160L-7 DMP31D0U-7 DMP31D0UFB4-7B DMP32D4S-13 DMP32D4S-7 DMP32D4SFB-7B
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