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LET9060F射頻功率晶體管LDMOS

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LET9060F射頻功率晶體管LDMOS 技術參數
  • LET9060F 功能描述:MOSFET N-CH 80V 12A M-250 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:18dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:400mA 功率 - 輸出:75W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:M250 供應商器件封裝:M250 標準包裝:25 LET9060C 功能描述:MOSFET N-CH 80V 12A M-243 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:945MHz 增益:18dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:400mA 功率 - 輸出:75W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:M243 供應商器件封裝:M243 標準包裝:25 LET9060 功能描述:IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:960MHz 增益:17.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:300mA 功率 - 輸出:60W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線) 供應商器件封裝:PowerSO-10RF(成形引線) 標準包裝:50 LET9045S 功能描述:TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:960MHz 增益:17.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:9A 噪聲系數:- 電流 - 測試:300mA 功率 - 輸出:59W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條直引線) 供應商器件封裝:PowerSO-10RF(直引線) 標準包裝:50 LET9045F 功能描述:FET RF LDMOS 80V 9A M-250 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:960MHz 增益:17.7dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:9A 噪聲系數:- 電流 - 測試:300mA 功率 - 輸出:59W 電壓 - 額定:80V 封裝/外殼:M250 供應商器件封裝:M250 標準包裝:25 LEV100A4ANH LEV100A5ANG LEV100A7ANH LEV100H5ANG LEV200A4ANA LEV200A4ANF LEV200A4NAA LEV200A4NAF LEV200A4NAF01 LEV200A5ANA LEV200A5NAA LEV200A5NAF LEV200A6NAF LEV200A9ANA LEV200ABNAA LEV200ALANA LEV200AOANA LEV200H4ANA
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