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PSMN4R8-100BSE,118

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  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯系人：梁

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PSMN4R8-100BSE,118 技術參數
  • PSMN4R6-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:70.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4426pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN4R6-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:70.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4426pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:211W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN4R6-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:153nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:9900pF @ 50V 功率 - 最大值:63.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 PSMN4R5-40PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:42.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2683pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:148W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN4R5-40BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:42.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2683pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:148W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN5R3-25MLDX PSMN5R4-25YLDX PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R6-100BS,118 PSMN5R6-100PS,127 PSMN5R6-100XS,127 PSMN5R6-100YSFQ PSMN5R6-100YSFX PSMN5R6-60YLX PSMN5R8-30LL,115 PSMN5R8-40YS,115 PSMN5R9-30YL,115 PSMN6R0-25YLB,115 PSMN6R0-25YLDX PSMN6R0-30YL,115 PSMN6R0-30YLB,115 PSMN6R0-30YLDX PSMN6R1-25MLDX
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