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NE3511S02-T1C-A

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
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    聯系人：彭先生

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
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NE3511S02-T1C-A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • TriQuint Semiconductor
  • 技術類型
  • pHEMT
  • 頻率
  • 500 MHz to 3 GHz
  • 增益
  • 10 dB
  • 噪聲系數
  • 正向跨導 gFS（最大值/最小值）
  • 4 S
  • 漏源電壓 VDS
  • 閘/源擊穿電壓
  • - 8 V
  • 漏極連續電流
  • 3 A
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 功率耗散
  • 10 W
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
NE3511S02-T1C-A 技術參數
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