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PMBFJ111,215

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PMBFJ111,215
    PMBFJ111,215

    PMBFJ111,215

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質：營業執照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1701+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • PMBFJ111,215
    PMBFJ111,215

    PMBFJ111,215

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：駱小姐

    電話：18124020586

    地址：深圳市龍崗區雅寶路1號星河world， A棟2203A

  • 39237

  • NXP USA Inc.

  • TO-236-3, SC-59, SOT

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • PMBFJ111,215
    PMBFJ111,215

    PMBFJ111,215

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會軒3607

    資質：營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • SOT-23（TO-236AB）

  • 18+

  • -

  • JFET N-CH 40V 0.3W S...

  • PMBFJ111,215
    PMBFJ111,215

    PMBFJ111,215

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來電0755-8286...

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
PMBFJ111,215 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • JFET JFET N-CH 40V 35mA
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
  • 50 mA
  • 漏源電壓 VDS
  • 15 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續電流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
  • SC-59
  • 封裝
  • Reel
PMBFJ111,215 技術參數
  • PMBFJ110,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:4V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:18 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBFJ109,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:40mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:12 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBFJ108,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:80mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:10V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開）:8 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF4393,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:500mV @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:100 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBF4392,215 功能描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBFJ620,115 PMBS3904,215 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL
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