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STH140N6F7-6

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STH140N6F7-6
    STH140N6F7-6

    STH140N6F7-6

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐

    電話：185208051481348786585213760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 61248

  • STMicroelectronics

  • H2PAK-6

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STH140N6F7-6 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 60 V, 0.0028 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • STripFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 80A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 3.2 毫歐 @ 40A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 55nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 3100pF @ 25V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • 175°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • H2PAK-6
  • 標(biāo)準包裝
  • 1
STH140N6F7-6 技術(shù)參數(shù)
  • STH140N6F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準包裝:1 STH-14 功能描述:Fiber Optic Kit 4-40, 6-32, 8-32 Hex Brass Zinc Plated Threaded Standoff 1500 pcs - 100 ea of 1/4", 3/8", 1/2", 3/4", 1" 制造商:keystone electronics 系列:- 包裝:塑料柜 零件狀態(tài):有效 套件類型:4-40，6-32，8-32 六角形黃銅鍍鋅鏍紋支座 數(shù)值:1500 件 - 1/4"，3/8"，1/2"，3/4"，1"，各 100 件 標(biāo)準包裝:1 STH130N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.3 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3305pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準包裝:1 STH12N120K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:690 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型 供應(yīng)商器件封裝:H2Pak-2 標(biāo)準包裝:1 STH110N10F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片） 供應(yīng)商器件封裝:H2PAK 標(biāo)準包裝:1 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6 STH-19 STH2 STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6 STH260N6F6-2
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