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2SK3836

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    2SK3836

    2SK3836

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-3PF

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • 2SK3836
    2SK3836

    2SK3836

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業執照

  • 9800

  • T

  • TO

  • 2015+

  • -

  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
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2SK3836 技術參數
  • 2SK3827 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:79nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:100 2SK3826 功能描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2150pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:100 2SK3824 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:100 2SK3823 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A TO220-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1780pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:100 2SK3821-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A SMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:73nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標片 供應商器件封裝:SMP 標準包裝:100 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E 2SK4065-DL-1EX 2SK4065-DL-E 2SK4065-E 2SK4066-1E 2SK4066-DL-1E 2SK4066-DL-1EX 2SK4066-DL-E 2SK4066-E 2SK4073LS 2SK4084LS 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E
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