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APTM120SK56T1G

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APTM120SK56T1G
深圳市芯脈實業有限公司
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電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
94749
Microsemi Corporation
SP1
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

APTM120SK56T1G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
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聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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功能描述
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM120SK56T1G 技術參數

APTM120SK29TG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 34A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:348 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:374nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM120SK15G 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:748nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120H57FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:684 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM120H57FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:684 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:187nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5155pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM120H29FG 功能描述:MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:348 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:374nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20AM04FG APTM20AM05FG APTM20AM05FTG APTM20AM06SG APTM20AM08FTG APTM20AM10FTG APTM20AM10STG APTM20DAM04G APTM20DAM05G APTM20DAM08TG APTM20DAM10TG APTM20DHM08G APTM20DHM10G APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G