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HERCROM200C.

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HERCROM200C.
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
8000
TI
BGA
22+
-
終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

HERCROM200C.
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
60
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BGA
2012+
-
只做原裝正品。

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HERCROM200C. 技術參數

HER303-T 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-201AD，軸向供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1,200 HER102-T 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5,000 HEP-600C-48 功能描述:O/P +57.6V10.5A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 HEP-600C-24 功能描述:O/P +28.8V21A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 HEP-600C-12 功能描述:O/P +14.4V35A 制造商:mean well usa inc. 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 HERF1008GA C0G HERF1601G C0G HERF1602G C0G HERF1603G C0G HERF1604G C0G HERF1605G C0G HERF1606G C0G HERF1607G C0G HERF1608G C0G HES.0F.302.XLDP HES.0F.303.XLDP HES.0F.304.XLDP HES.0F.305.XLDP HES.0M.303.XLDP HES.0M.305.XLDP HES.1F.303.CLDP HES.1F.307.XLDP HES.1F.308.XLDP