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STB20NM60A

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  • STB20NM60A
    STB20NM60A

    STB20NM60A

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO263

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理，原裝正品現貨！！

  • STB20NM60A
    STB20NM60A

    STB20NM60A

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 19664

  • ST/意法

  • TO220MONOC

  • 22+

  • -

  • STB20NM60A-1
    STB20NM60A-1

    STB20NM60A-1

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STB20NM60A
    STB20NM60A

    STB20NM60A

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 5000

  • ST

  • TO 220 MONOC. .

  • `07+(pb-fr

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STB20NM60A
    STB20NM60A

    STB20NM60A

  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    聯系人：李小姐/肖先生

    電話：0755-8257149682571956

    地址：賽格廣場69樓6900

    資質：營業執照

  • 9645

  • ST

  • D2PAK

  • 21+

  • -

  • ★絕對優勢庫存市場最低價！假一賠十★

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
  • 1
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STB20NM60A 技術參數
  • STB20NM60-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB20NM50T4 功能描述:MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB20NM50FDT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB20NM50-1 功能描述:MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1480pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB20NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:119nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB21NM60ND STB22NM60N STB22NS25ZT4 STB230NH03L STB23N80K5 STB23NM50N STB23NM60N STB23NM60ND STB24N60DM2 STB24N60M2 STB24N65M2 STB24NM60N STB24NM65N STB25N80K5 STB25NF06AG STB25NF06LAG STB25NM50N STB25NM50N-1
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