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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2221 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/7頁(yè) |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | 2SK2221 |
2SK2220, 2SK2221
2
Ordering Information
Type No.
VDSS
2SK2220
180 V
2SK2221
200 V
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SK2220
V
DSX
180
V
2SK2221
200
Gate to source voltage
V
GSS
I
D
I
DR
Pch*
±
20
8
V
Drain current
A
Body to drain diode reverse drain current
8
A
Channel dissipation
1
100
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note
1. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SK2221-E | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2222 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR |
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