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參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2790
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五(巴西)直| 5A條(?。﹟對(duì)221VAR
文件頁數(shù): 10/10頁
文件大小: 490K
代理商: 2SK2790
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2SK2798
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15
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100V
Gate Charge Characteristics
I
D
= 6A
50V
V
DD
= 200V
V
GS
V
DS
Gate Charge Qg [nC]
D
D
G
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2794 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK2807-01
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2792 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2793 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2796-L(E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 Bulk
2SK2796L-E 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:N-channel MOSFET, 60V,5A,0.12ohm,DPAK-L 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1)
2SK2796S(TL-E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: