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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2795 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管超高頻功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SK2795 |
2SK2795
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–25
0
0
25
50
75
100
125
–6
–4
–2
0
2
4
6
6
100
2
10
5
0.1
0.2
Drain to Source V (V)
0.5
1
2
5
10
10
3
1
0.03
0.3
0.1
0.01
Tc = –25°C
25°C
75°C
1 mA
10 mA
I = 0.1 mA
D
V = 5 V
10
9
8
7
20
50
1
V = 0
f = 1 MHz
V = 0
f = 1 MHz
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Drain Current
Drain Current I (mA)
Ambient Temperature Ta (°C)
G
Gate to Source Cutoff Voltage vs.
Ambient Temperature
G
Input Capacitance vs.
Gate to Source Voltage
Gate to Source Voltage V (V)
I
O
D
D
V
V
Output Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
V = 6 V
Pulse Test
10
30
100
300
1000
1
3
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SK2796S-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) |
| 2SK2796STL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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