CSD16340Q3T

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD16340Q3T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
321165
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD16340Q3T
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
3800
TI/德州儀器
VSON8
21+
-
只做原裝，真實庫存，價格優勢。

CSD16340Q3T
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
321165
TI
con
24+
-

CSD16340Q3T
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
321165
TI
con
24+
-

CSD16340Q3T
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
321165
TI
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

CSD16340Q3T
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
321165
TI
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 25V 60A 8VSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
60A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，8V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
9.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
+10V，-8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1350pF @ 12.5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
4.5 毫歐 @ 20A，8V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
8-VSON（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerTDFN
標準包裝
1

CSD16340Q3T 技術參數

CSD16340Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1350pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD16327Q3T 功能描述:CSD16327Q3T 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 CSD16327Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 24A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD16325Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 30A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-SON-EP（5x6）標準包裝:1 CSD16325Q5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 30A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4000pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（5x6）標準包裝:1 CSD16408Q5 CSD16408Q5C CSD16409Q3 CSD16410Q5A CSD16411Q3 CSD16412Q5A CSD16413Q5A CSD16414Q5 CSD16415Q5 CSD16415Q5T CSD16556Q5B CSD16570Q5B CSD16570Q5BT CSD17301Q5A CSD17302Q5A CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A