CSD86311W1723

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說明
操作

CSD86311W1723
優勢
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：王金英
電話：077-8326952815602945519
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
120140
bga
ti
1205+
-
★★誠信經營，原盒原裝現貨庫存商★★

CSD86311W1723
優勢
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
120140
bga
ti
1205+
-
★★誠信經營，原盒原裝現貨庫存商★★

CSD86311W1723
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

CSD86311W1723
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
原廠
BGA
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

CSD86311W1723
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/曹先生/周小姐
電話：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
12367
Texas Instruments
DSBGA-12
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

CSD86311W1723
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
7505
TI
SON8
13+
-
原裝正品現貨庫存

CSD86311W1723
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
3000
TI
DSBGA
1301+
-
原廠特價貨源

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功能描述
MOSFET Dual P-Channel Nex FET Pwr MOSFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

CSD86311W1723 技術參數

CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.4 毫歐 @ 10A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD85302LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFLGA 供應商器件封裝:4-Picostar（1.31x1.31）標準包裝:1 CSD85302L 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:- 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-XFLGA 供應商器件封裝:4-Picostar（1.31x1.31）標準包裝:1 CSD85301Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD85301Q2 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-WSON（2x2）標準包裝:1 CSD87331Q3D CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M