品牌:NEC/日本電氣 | 型號:22UF 6.3V C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:22UF 35V D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:TEESVP0J226M8R | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±20(%) | 耐壓值:6.3(V) | 等效串聯電阻(ESR):1(mΩ) | 標稱容量:22(uF) | 損耗:1 | 額定電壓:6.3(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數:1
≥1000 PCS
¥0.23
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:22UF 50V V | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.20
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:22UF/6V-J 0603 | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:6.3(V) | 等效串聯電阻(ESR):1(mΩ) | 標稱容量:22(uF) | 損耗:1 | 額定電壓:6(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數:1
≥4000 PCS
¥0.15
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:22UF/16V-C | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:分頻 | 外形:長方形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:微調 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±10(%) | 耐壓值:16(V) | 等效串聯電阻(ESR):1(mΩ) | 標稱容量:22(uF) | 損耗:5 | 額定電壓:16(V) | 絕緣電阻:1(mΩ) | 溫度系數:-85+125
≥500 PCS
¥0.40
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:TEESVB21C226M8R | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:濾波 | 外形:長方形 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:高頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±20(%) | 耐壓值:16(V) | 等效串聯電阻(ESR):0(mΩ) | 標稱容量:22(uF) | 損耗:0 | 額定電壓:16(V) | 絕緣電阻:0(mΩ) | 溫度系數:0
≥2000 PCS
¥0.40