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品牌:MURATA/村田 | 型號:GRM188R11C563JA01# | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:圓片形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:超高頻 | 調(diào)節(jié)方式:微調(diào) | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±5（%） | 耐壓值:16（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1（mΩ） | 損耗:1 | 額定電壓:1（V） | 絕緣電阻:1（mΩ） | 溫度系數(shù):1 | 標稱容量:1

品牌:MURATA/村田 | 型號:GRM188R11C563KA01# | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:圓片形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:超高頻 | 調(diào)節(jié)方式:微調(diào) | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:16（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1（mΩ） | 損耗:1 | 額定電壓:1（V） | 絕緣電阻:1（mΩ） | 溫度系數(shù):1 | 標稱容量:1

品牌:速迎 | 型號:563 | 介質(zhì)材料:金屬化紙介 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5（%） | 耐壓值:1000（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):10（mΩ） | 損耗:IR≥50000MΩ(20℃，100V，1min) | 額定電壓:1000V（V） | 絕緣電阻:IR≥50000MΩ(20℃，100V，1min)（mΩ） | 溫度系數(shù):0 | 標稱容量:0.056UF

品牌:國產(chǎn) | 型號:50V563M | 介質(zhì)材料:獨石 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:圓片形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:徑向引出線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:100（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):。。。（mΩ） | 損耗:0.001 | 額定電壓:100（V） | 絕緣電阻:.。。。（mΩ） | 溫度系數(shù):100 | 標稱容量:0.056

品牌:SBD | 型號:CBB81 | 介質(zhì)材料:有機薄膜 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:長方形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5（%） | 耐壓值:1600（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):30000（mΩ） | 損耗:小于0.001% | 額定電壓:1600（V） | 溫度系數(shù):40/8521 | 標稱容量:0.056

品牌:Samsung/三星 | 型號:1206 563 | 介質(zhì)材料:陶瓷(瓷介) | 應用范圍:高頻消振 | 外形:疊片形 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±5（%） | 耐壓值:50（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):1（mΩ） | 損耗:1 | 額定電壓:1（V） | 絕緣電阻:1（mΩ） | 溫度系數(shù):1 | 標稱容量:1

品牌:國產(chǎn) | 型號:山銳，SR | 介質(zhì)材料:有機薄膜 | 應用范圍:高頻消振 | 外形:長方形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5（%） | 耐壓值:250（V） | 損耗:≤0.1% | 額定電壓:100，250，400，630，1000（V） | 溫度系數(shù):-40-110攝氏度 | 標稱容量:0.001-3.3

品牌:HJC（華容） | 型號:MP2/563J/300V | 介質(zhì)材料:復合介質(zhì) | 應用范圍:高頻消振 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:低頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5（%） | 耐壓值:400（V） | 標稱容量:0.001UF-0.1uf（uF） | 損耗:0.05 | 額定電壓:AC300(800)~900(2000)（V）