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品牌:Vishay/威世通 | 型號:293D107X0010B2TE3 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:長方形 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:10（V） | 標稱容量:100UF（uF） | 損耗:0 | 額定電壓:10（V）

品牌:Vishay/威世通 | 型號:293D227X0004B2TE3 | 種類:其他 | 外形:長方形 | 允許偏差:±20 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 額定電壓:4 | 損耗:0 | 標稱容量:220UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓

類型:其他IC | 品牌:Vishay/威世通 | 型號:593D106X0010B2TE3 | 額定電壓:10 | 功率特性:大功率 | 允許偏差:±20 | 種類:其他 | 損耗:0 | 標稱容量:10UF | 頻率特性:高頻 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 外形:方塊狀 | 應(yīng)用范圍:高壓

品牌:Vishay/威世通 | 型號:593D107X06R3B2TE3 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 允許偏差:±20（%） | 標稱容量:100UF（uF） | 損耗:0 | 額定電壓:6.3（V）

品牌:Vishay/威世通 | 型號:593D226X0010B2TE3 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 允許偏差:±20（%） | 標稱容量:22UF（uF） | 損耗:0 | 額定電壓:10（V）

品牌:Vishay/威世通 | 型號:593D226X0016B2TE3 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:高壓 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 允許偏差:±20（%） | 標稱容量:22UF（uF） | 損耗:0 | 額定電壓:16（V）

品牌:Vishay/威世通 | 型號:TL8B0336M020C | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±20（%） | 耐壓值:20（V） | 額定電壓:20（V） | 標稱容量:33

品牌:Vishay/威世通 | 型號:593D476X906RSB2TE3 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:分頻 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±10%（%） | 耐壓值:6.3（V） | 標稱容量:47（uF） | 額定電壓:10V（V）

品牌:Vishay/威世通 | 型號:595D476X06R3B2T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:594D156X0020B2T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:593D155X0035B2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:195D225X0020B2T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:293D226X06R3B2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:293D474X0035B2TE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:2.2UF，B_35V2.2UF，293D225X9035B2TE3，35V，B型 | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:35（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):詳細請咨詢（mΩ） | 損耗:正常 | 額定電壓:35（V） | 絕緣電阻:--（mΩ） | 溫度系數(shù):-85+125 | 標稱容量:2.2

品牌:Vishay/威世通 | 型號:293D226X9010B2TE3，B型，22UF，10V，B-10V22UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:10（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):詳細請咨詢（mΩ） | 損耗:正常 | 額定電壓:10（V） | 絕緣電阻:--（mΩ） | 溫度系數(shù):-85+125 | 標稱容量:22

品牌:Vishay/威世通 | 型號:293D156X9016B2TE3，B型，15UF，16V，B-16V15UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:16（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):詳細請咨詢（mΩ） | 損耗:正常 | 額定電壓:16（V） | 絕緣電阻:--（mΩ） | 溫度系數(shù):-85+125 | 標稱容量:15

品牌:Vishay/威世通 | 型號:293D105X9050B2TE3，B型，1UF，50V，B-50V1UF | 介質(zhì)材料:鉭電解 | 應(yīng)用范圍:濾波 | 外形:方塊狀 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:無引線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:50（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):詳細請咨詢（mΩ） | 損耗:正常 | 額定電壓:50（V） | 絕緣電阻:--（mΩ） | 溫度系數(shù):-85+125 | 標稱容量:1

品牌:Vishay/威世通 | 型號:595D336X0004B2T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:594D336X0016B2T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道