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應用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SC2982-C | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.5 | 集電極最大允許電流ICM:2 | 截止頻率fT:150

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:2SC2383Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92L | 屬性:屬性值

應用范圍:放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FJP13009H2 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大耗散功率PCM:90 | 擊穿電壓VCBO:460 | 集電極最大允許電流ICM:10

品牌:ST/意法 | 型號:BTA12-600B | 控制方式:雙向 | 極數:三極 | 封裝材料:塑料封裝 | 封裝外形:平板形 | 關斷速度:普通 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:中頻 | 功率特性:中功率 | 額定正向平均電流:12（A） | 控制極觸發電流:1（mA） | 最大穩定工作電流:12（A） | 反向重復峰值電壓:600（V）

應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FZT649TA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-223

應用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SD1006 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:2 | 集電極最大允許電流ICM:0.7 | 截止頻率fT:90

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SB805 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.7 | 截止頻率fT:75

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SB806 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.7 | 截止頻率fT:75

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SB800 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:2 | 集電極最大允許電流ICM:-0.3 | 截止頻率fT:100

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT5551 | 材料:硅(Si)

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:945 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:T0-92 | 極性:NPN型 | 加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:KW | 型號:直插 S8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 TO-92 | 集電極最大允許電流ICM:-500mA | 封裝材料:塑料封裝 | 擊穿電壓VCEO:-25V

應用范圍:達林頓 | 品牌:國產仙童 | 型號:C2073 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:4 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否

應用范圍:功率 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:C2555 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應用范圍:功率 | 品牌:HY | 型號:108-046F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3 | 功率:250W

應用范圍:放大 | 品牌:HY | 型號:2SC3058 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3

應用范圍:功率 | 品牌:HY | 型號:BUX48A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3 | 功率:200W

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:DTA144EUA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-323

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:2SA1611 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-323

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SB804 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:2 | 集電極最大允許電流ICM:-1 | 截止頻率fT:80