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品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:IRF740 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:IR | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 0:0

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NXP IR ROHM ST | 型號:IRF740/IRFP150/IRF9530 /IRFP460場效應管 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:LMP-C/阻抗變換 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:HEMT高電子遷移率

品牌:HUF76639P3 IRF654 HUF76633P3 IRFP450A | 型號:IRF631 IRF9510 HUFA76645P3 IRFS630 SGS10N60RUFD | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:DIFF/差分放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 芯數:RFP12N06 RFP45N06 KSE45H11 RFD15N05 | 應用范圍:IRF740 IRFS634 IRF640B ISL9N304AP3 SSH45N20 | 線長:RFP15N05L SSS6N60 NDP6060 RFP15N05

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HG/高跨導 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:GEP/互補類型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF740ASTRRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740BF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF730PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 屬性:屬性值

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740STRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630/IRF640/IRF730/IFR540 IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導:vgs | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數:0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:*

品牌:各進口名牌廠家 | 型號:IRFZ30 IRFZ34 IRFZ40 IRFZ44 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF710 IRF720 IRF730 IRF740 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導:vgs | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數:0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740.IRF730 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF740 | 用途:MW/微波 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF630 IRF630N IRF630A IRF630B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:9.3a | 跨導:vgs | 開啟電壓:4 | 夾斷電壓:900 | 低頻噪聲系數:0.25 | 極間電容:. | 最大耗散功率:82w