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品牌:CSD創(chuàng)碩達(dá) | 型號:MEB | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:耦合 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:1000（V） | 損耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 額定電壓:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc（V） | 標(biāo)稱容量:0. 001μF~10μF

品牌:SR，山銳 | 型號:CL21X 超小型聚酯電容 | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:耦合 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±5（%） | 耐壓值:100（V） | 損耗:≤1.0%(20℃，1kHz) | 額定電壓:100（V） | 溫度系數(shù):-40~+85度 | 標(biāo)稱容量:0.001~1.0

品牌:CSD創(chuàng)碩達(dá) | 型號:MEB | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:耦合 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:1000（V） | 標(biāo)稱容量:0. 001μF~10μF（uF） | 損耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 額定電壓:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc（V）

品牌:CSD創(chuàng)碩達(dá) | 型號:MEB | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:耦合 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:1000（V） | 標(biāo)稱容量:0. 001μF~10μF（uF） | 損耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 額定電壓:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc（V）

品牌:CSD創(chuàng)碩達(dá) | 型號:MEB | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:耦合 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:1000（V） | 標(biāo)稱容量:0. 001μF~10μF（uF） | 損耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 額定電壓:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc（V）

品牌:CSD創(chuàng)碩達(dá) | 型號:MEB | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:耦合 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:1000（V） | 標(biāo)稱容量:0. 001μF~10μF（uF） | 損耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 額定電壓:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc（V） | 絕緣電阻:7500（mΩ） | 溫度系數(shù):-55℃~105℃ | 最佳使用溫度:-25℃~95℃

品牌:CSD創(chuàng)碩達(dá) | 型號:MEB | 介質(zhì)材料:有機(jī)薄膜 | 應(yīng)用范圍:耦合 | 外形:方塊狀 | 功率特性:小功率 | 頻率特性:中頻 | 調(diào)節(jié)方式:固定 | 引線類型:同向引出線 | 允許偏差:±10（%） | 耐壓值:1000（V） | 標(biāo)稱容量:0. 001μF~10μF（uF） | 損耗:≤1.0%(20℃ 1kHZ) | 額定電壓:100VDC-250Vdc-400Vdc-630Vdc（V）