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品牌:NEC/日本電氣 | 型號:50v3.3uf | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:旁路 | 外形:圓片形

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:35v47uf | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:旁路 | 外形:圓片形

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:35v47uf | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:CA42 | 外形:圓片形

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:TPDN1V4R7M8S | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:低壓 | 外形:圓片形

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:35V10UF | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:旁路 | 外形:圓片形

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:16V47UF | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:旁路 | 外形:圓片形

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:16V47UF | 介質材料:鉭電解 | 應用范圍:旁路 | 外形:圓片形

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC4549 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:10UF 35V D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:15UF 20V B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC4432 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:10UF 6.3V A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道