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2SJ377(TE16R1,NQ)

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  • 2SJ377(TE16R1,NQ)
    2SJ377(TE16R1,NQ)

    2SJ377(TE16R1,NQ)

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 31858

  • Toshiba Semiconductor and

  • TO-252-3, DPak (2 Le

  • 25+

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  • 2SJ377(TE16R1,NQ)
    2SJ377(TE16R1,NQ)

    2SJ377(TE16R1,NQ)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1221

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

  • -

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  • 1
2SJ377(TE16R1,NQ) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
  • 制造商
  • Toshiba America Electronic Components
  • 功能描述
  • MOSFET P-CHAN 60V 5A PW-MOLD
2SJ377(TE16R1,NQ) 技術(shù)參數(shù)
  • 2SJ360(TE12L,F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:730 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2SJ360(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1A SC-62 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:730 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:155pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-MINI 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 2SJ305TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4歐姆 @ 50mA，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:92pF @ 3V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ304(F) 功能描述:MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 10V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220NIS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SJ168TE85LF 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2歐姆 @ 50mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:85pF @ 10V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SJ610(TE16L1,NQ) 2SJ649-AZ 2SJ650 2SJ651 2SJ652 2SJ652-1E 2SJ652-RA11 2SJ655 2SJ656 2SJ661-1E 2SJ661-DL-1E 2SJ661-DL-E 2SJ665-DL-E 2SJ668(TE16L1,NQ) 2SJ673-AZ 2SJ681(Q) 2SJ683-TL-E 2SJ687-ZK-E1-AY
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